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W632GU8RB11I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Produktübersicht
Der W632GU8RB11I TR von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicher-IC, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese flüchtige DRAM-Lösung bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung in anspruchsvollen Embedded-Systemumgebungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für komplexe eingebettete Anwendungen.
- Niederspannungsbetrieb: Eine Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V reduziert den Stromverbrauch und die Wärmeentwicklung.
- Schnelle Zugriffszeiten: 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzyklus gewährleisten eine schnelle Datenverarbeitung.
- Breiter Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 95 °C (TC) für industrielle Leistung
- Platzsparendes Gehäuse: Das oberflächenmontierte Design für 78-VFBGA-Bauteile (8 x 10,5 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte.
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Dieser DDR3-SDRAM verfügt über eine parallele Speicherschnittstelle mit SDRAM-DDR3-Technologie und eignet sich daher ideal für Anwendungen mit hoher Datenübertragungsgeschwindigkeit. Die Gurtverpackung gewährleistet effiziente, automatisierte Montageprozesse für die Serienfertigung.
Anwendungen
Ideal für eingebettete Systeme, die hochzuverlässige Speicherlösungen erfordern, darunter industrielle Steuerungen, Steuergeräte für Kraftfahrzeuge, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und Luft- und Raumfahrtsysteme, bei denen Datenintegrität und gleichbleibende Leistung von größter Bedeutung sind.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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