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Winbond Electronics

W634GU6RB-09

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Winbond W634GU6RB-09 - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC

Der W634GU6RB-09 von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen in Industrie-, Automobil-, Telekommunikations- und Medizintechnik entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,067 GHz und einem niedrigen Betriebsspannungsbereich (1,283 V ~ 1,45 V). Dadurch eignet sie sich ideal für energieempfindliche Designs, die einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 95 °C erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Speicherdichte: 4 Gbit Kapazität mit 256M x 16 Organisation bietet ausreichend Speicher für komplexe eingebettete Anwendungen.
  • DDR3L-Technologie: Niederspannungs-SDRAM reduziert den Stromverbrauch bei gleichzeitig hoher Leistung.
  • Schneller Zugriff: 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzykluszeit gewährleisten einen hohen Datendurchsatz.
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 95 °C (TC) für Einsätze unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Kompaktes Gehäuse: Das oberflächenmontierbare 96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13 mm) optimiert den Platz auf der Platine.
  • Parallele Schnittstelle: Standardmäßige parallele Speicherschnittstelle vereinfacht die Integration in bestehende Designs
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für die Einhaltung globaler Marktstandards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der W634GU6RB-09 wurde für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, die hochzuverlässige Speicherlösungen erfordern:

  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Automotive Infotainment- und ADAS-Plattformen
  • Ausrüstung für die Telekommunikationsinfrastruktur
  • Medizinische Diagnose- und Bildgebungsgeräte
  • Eingebettete Systeme für Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung
  • Hochleistungsrechnermodule
  • Netzwerkrouter und -schalter

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 4 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 1,067 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 96-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 96-VFBGA (7,5x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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