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W634GU8RB-09 TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Produktübersicht
Der Winbond W634GU8RB-09 TR ist ein leistungsstarker 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung verfügt über eine 512M x 8-Struktur mit einer Taktfrequenz von 1,067 GHz und bietet außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,067 GHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit 1,283 V ~ 1,45 V und reduziert so die Energiekosten.
- Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC) für raue Umgebungen
- Kompaktes Design: Das oberflächenmontierbare 78-VFBGA-Gehäuse (8x10,5) spart Platz auf der Platine.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und entspricht internationalen Standards.
- Gurt- und Rollenverpackung: Bereit für automatisierte Montageprozesse
Anwendungen
Diese hochzuverlässige Speicherkomponente ist ideal für:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Automobilelektronik und ADAS
- Industrielle Automatisierung und Steuerung
- Medizinische Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Eingebettete Computerplattformen
Zusammenfassung der technischen Spezifikationen
Der W634GU8RB-09 TR verfügt über flüchtige DRAM-Technologie mit paralleler Speicherschnittstelle, 15 ns Schreibzykluszeit und Oberflächenmontage. Seine 512M x 8 Speicherorganisation ermöglicht flexible Datenverarbeitung für komplexe Anwendungen.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1,067 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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