W634GU8RB-11
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W634GU8RB-11 - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der Winbond W634GU8RB-11 ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrieautomation, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser fortschrittliche Speicherchip bietet außergewöhnliche Leistung bei geringem Stromverbrauch und ist somit ideal für eingebettete Systeme geeignet, die sowohl Geschwindigkeit als auch Energieeffizienz erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Speicherdichte: 4 Gbit Kapazität mit 512M x 8 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für datenintensive Anwendungen.
- Hohe Taktfrequenz: Die Betriebsfrequenz von 933 MHz gewährleistet schnellen Datenzugriff und -verarbeitung.
- Stromsparende DDR3L-Technologie: Die Nennspannung von 1,35 V reduziert den Stromverbrauch im Vergleich zu Standard-DDR3 um bis zu 15 %.
- Breiter Betriebstemperaturbereich: 0 °C bis 95 °C (TC) – geeignet für anspruchsvolle Industrie- und Automobilumgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 78-VFBGA-Format (8 x 10,5 mm) optimiert die Platinenplatznutzung.
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W634GU8RB-11 wurde für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt, darunter Industriesteuerungen, Infotainmentsysteme für Fahrzeuge, medizinische Bildgebungsgeräte, Netzwerkinfrastrukturen und Avionik für die Luft- und Raumfahrt. Seine robuste Bauweise und der erweiterte Temperaturbereich gewährleisten eine gleichbleibende Leistung auch unter rauen Betriebsbedingungen.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |
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