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W634GU8RB09I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W634GU8RB09I - 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der Winbond W634GU8RB09I ist ein leistungsstarker 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, der Medizintechnik und der Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt wurde. Diese industrietaugliche Speicherkomponente bietet zuverlässige Leistung über einen erweiterten Temperaturbereich und arbeitet mit niedriger Spannung, was sie ideal für energieempfindliche Anwendungen macht.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Speicherdichte: 4 Gbit Kapazität mit 512M x 8 Organisation bietet ausreichend Speicher für komplexe eingebettete Systeme.
- DDR3L-Niederspannung: Die Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V reduziert den Stromverbrauch im Vergleich zu Standard-DDR3 um bis zu 15 %.
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 95 °C (TC) – Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,067 GHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit
- Kompakte Oberflächenmontage: Das 78-VFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
- RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Einsatz
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, ADAS-Systeme in der Automobilindustrie, Steuerungen für die industrielle Automatisierung, medizinische Bildgebungsgeräte, Telekommunikationsbasisstationen und alle Anwendungen, die eine lange Lebensdauer und bewährte Zuverlässigkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Autorisierter Vertriebspartner: Wir bieten vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation, RoHS/REACH-Konformitätszertifikate und langfristigen Support für eine vertrauensvolle Entwicklung.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1,067 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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