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W634GU8RB11I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W634GU8RB11I TR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der Winbond W634GU8RB11I TR ist ein hochwertiger 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen mit hohen Anforderungen an Datenverarbeitungsgeschwindigkeit und Zuverlässigkeit entwickelt wurde. Diese industrietaugliche Speicherlösung bietet herausragende Leistung in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Medizintechnik und Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 933 MHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz für unternehmenskritische Anwendungen.
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit einer Spannung von 1,283 V bis 1,45 V, wodurch der Energieverbrauch reduziert und gleichzeitig die Spitzenleistung beibehalten wird.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 95 °C (TC), ideal für raue Umgebungsbedingungen
- Flexible Speicherorganisation: Die 512M x 8-Konfiguration bietet ein optimales Gleichgewicht zwischen Dichte und Zugänglichkeit.
- Platzsparendes Design: Das kompakte 78-VFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm) für die Oberflächenmontage maximiert die Platinenplatznutzung.
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser hochzuverlässige Speicher-IC ist ideal für:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Automobilelektronik und ADAS
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Medizinische Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Hochleistungsrechnerplattformen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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