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Winbond Electronics

W63AH2NBVABI

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Recycling Electronic Components

Winbond W63AH2NBVABI - 1-Gbit-LPDDR3-SDRAM-Speicher-IC

Der W63AH2NBVABI von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 1-Gbit-LPDDR3-SDRAM-Speicher für mobile Geräte, der speziell für platzsparende Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und hohen Datenübertragungsraten entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und einer Zugriffszeit von 5,5 ns bietet dieser Speicherchip zuverlässige Leistung für mobile Geräte, eingebettete Systeme und industrielle Anwendungen.

Hauptmerkmale

  • Hohe Geschwindigkeit: 800 MHz Taktfrequenz mit 5,5 ns Zugriffszeit
  • Energiesparendes Design: Optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V)
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C
  • Kompaktes Gehäuse: 178-VFBGA (11x11,5mm) SMD-Gehäuse
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Vertrieb

Anwendungen

Ideal für mobile Geräte, Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle Steuerungen und eingebettete Computerplattformen, die Speicherlösungen mit hoher Dichte und niedrigem Stromverbrauch erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum diese Komponente wählen?

Als autorisierter Distributor bieten wir Original-Winbond-Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, Konformitätsdokumentation (RoHS/REACH) und technischem Support. Alle Produkte werden mit Datenblättern geliefert und sind in Serienmengen mit weltweiten Versandoptionen verfügbar.

Verwandte Ressourcen

Entdecken Sie unser komplettes Sortiment an Speicherkomponenten für Ihre Designanforderungen. Besuchen Sie unsere Homepage , um unseren vollständigen Katalog an Halbleitern und programmierbaren Logikbausteinen zu durchstöbern, oder lesen Sie in unserem technischen Blog Brancheneinblicke und Anwendungsberichte.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR3
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 32 m x 32
Speicherschnittstelle HSUL_12
Taktfrequenz 800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 5,5 ns
Spannungsversorgung 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 178-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 178-VFBGA (11x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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