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Winbond Electronics

W63AH2NBVABI TR

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Winbond W63AH2NBVABI TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR3 SDRAM-Speicher

Der W63AH2NBVABI TR von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 1-Gbit-LPDDR3-SDRAM-Speicher-IC für mobile Anwendungen, der speziell für hochzuverlässige Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und extrem niedrigem Stromverbrauch und eignet sich daher ideal für unternehmenskritische mobile und eingebettete Anwendungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 800 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Optimierte Speicherarchitektur: 1 Gbit Kapazität, organisiert als 32M x 32, ermöglicht flexibles Speichermanagement
  • Energiesparendes Design: Betrieb mit zwei Spannungen (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) minimiert den Stromverbrauch mobiler Geräte.
  • Breiter Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Industriestandard-Schnittstelle: HSUL_12-Schnittstelle für die nahtlose Integration mit modernen Prozessoren
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 178-VFBGA-Format (11 x 11,5 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Platine.
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der W63AH2NBVABI TR eignet sich perfekt für:

  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme, die hochzuverlässige Speicher benötigen
  • Automotive Infotainment- und ADAS-Anwendungen
  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Medizinische Diagnosegeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Mobile Computing und eingebettete Systeme

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR3
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 32 m x 32
Speicherschnittstelle HSUL_12
Taktfrequenz 800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 5,5 ns
Spannungsversorgung 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 178-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 178-VFBGA (11x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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