W63AH2NBVACE
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W63AH2NBVACE – Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR3-SDRAM-Speicher
Der W63AH2NBVACE von Winbond Electronics ist ein hochmoderner 1-Gbit-LPDDR3-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen mit hohen Leistungsanforderungen, insbesondere für mobile und eingebettete Systeme. Diese flüchtige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 5,5 ns. Damit eignet sie sich ideal für Smartphones, Tablets, Fahrzeugsysteme und IoT-Geräte, die einen effizienten Stromverbrauch und höchste Leistung erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 933 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Speicherarchitektur: 1 Gbit Kapazität mit 32M x 32 Organisation für effizientes Datenmanagement
- Geringer Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) für hohe Energieeffizienz im mobilen Einsatz.
- Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -25 °C bis 85 °C für zuverlässige Leistung in unterschiedlichen Umgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 178-VFBGA (11 x 11,5 mm) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und entspricht internationalen Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser mobile LPDDR3 SDRAM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, darunter:
- Smartphones und Mobilgeräte
- Tablets und tragbare Computer
- Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
- IoT und eingebettete Systeme
- Industrielle Steuerung und Automatisierung
- Tragbare Technologie
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 32 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 5,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 178-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 178-VFBGA (11x11,5) |
| RoHS |

W63AH2NBVACE.pdf