W63AH2NBVACE TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W63AH2NBVACE TR - Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR3 SDRAM
Der Winbond W63AH2NBVACE TR ist ein hochmoderner 1-Gbit-Mobil-LPDDR3-SDRAM-Speicher, der für leistungsstarke mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Dank fortschrittlicher Halbleitertechnologie bietet dieser Speicherchip außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Systeme, die schnellen Datenzugriff und geringen Stromverbrauch erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 933 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle Anwendungen.
- Optimierte Speicherarchitektur: Die 32M x 32-Organisation ermöglicht effizientes Datenmanagement und effiziente Datenspeicherung.
- Energiesparendes Design: Betrieb mit zwei Spannungen (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) minimiert den Stromverbrauch mobiler Geräte.
- Breiter Betriebsbereich: Der Temperaturbereich von -25 °C bis 85 °C unterstützt vielfältige Umgebungsbedingungen.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 178-VFBGA (11 x 11,5 mm) ermöglicht platzsparende Leiterplattendesigns
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser hochwertige LPDDR3 SDRAM eignet sich perfekt für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Diagnosegeräte und Telekommunikationsinfrastrukturen, wo Zuverlässigkeit und Leistung von größter Bedeutung sind.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 32 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 5,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 178-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 178-VFBGA (11x11,5) |
| RoHS |

W63AH2NBVACE TR.pdf