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Winbond Electronics

W63AH2NBVACI TR

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Winbond W63AH2NBVACI TR - Hochleistungsfähiger LPDDR3 Mobile-DRAM

Der Winbond W63AH2NBVACI TR ist ein Premium-LPDDR3-SDRAM-Speicherchip mit 1 Gbit/s, der speziell für geschäftskritische mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Dank der fortschrittlichen HSUL_12-Schnittstellentechnologie bietet dieser hochzuverlässige Speicherchip eine herausragende Leistung bei einer Taktfrequenz von 933 MHz und einer extrem niedrigen Zugriffszeit von nur 5,5 ns.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 933 MHz gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Optimierte Energieeffizienz: Der Betrieb mit zwei Spannungen (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) minimiert den Stromverbrauch in Mobilgeräten.
  • Erweiterter Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C macht es ideal für Automobil- und Industrieumgebungen.
  • Kompaktes SMD-Design: Das 178-VFBGA-Gehäuse (11 x 11,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser LPDDR3 SDRAM eignet sich perfekt für Navigationssysteme in der Luft- und Raumfahrt, Infotainment- und ADAS-Plattformen in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Diagnosegeräte und Telekommunikationsinfrastrukturen, wo Zuverlässigkeit und Leistung unverzichtbar sind.

Technische Spezifikationen

Warum sollten Sie sich für HQICKEY bei Ihren Speicherkomponenten entscheiden?

Als autorisierter Distributor von Winbond Electronics garantiert HQICKEY 100 % Originalkomponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Herstellergarantie. Unser globales Logistiknetzwerk gewährleistet eine schnelle Abwicklung für Just-in-Time-Beschaffung, während unser technisches Team umfassende Anwendungsunterstützung und Designressourcen bietet.

Verwandte Ressourcen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR3
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 32 m x 32
Speicherschnittstelle HSUL_12
Taktfrequenz 933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 5,5 ns
Spannungsversorgung 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 178-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 178-VFBGA (11x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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