W63AH2NBVADE

Winbond W63AH2NBVADE - 1 Gbit LPDDR3 SDRAM Mobile Memory IC

Der W63AH2NBVADE von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 1-Gbit-LPDDR3-SDRAM-Speicherchip, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die zuverlässige und energieeffiziente Speicherlösungen erfordern. Mit einer 32M x 32-Struktur und einer Taktfrequenz von 1,066 GHz bietet dieser Speicherchip herausragende Leistung für Smartphones, Tablets, Fahrzeugsysteme und Industrieanlagen.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,066 GHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet einen schnellen Datenzugriff.
• Geringer Stromverbrauch: LPDDR3-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V)
• Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -25 °C bis 85 °C (TC) für anspruchsvolle Umgebungen
• Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 178-VFBGA-Bauform (11 x 11,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
• RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.
• Vollständige Rückverfolgbarkeit: Tray-Verpackung mit vollständiger Dokumentation für den Einsatz im Produktionsmaßstab

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für Entwicklungsingenieure und Beschaffungsteams, die Speicher für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme für Automobile, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte und eingebettete Computerplattformen beschaffen, die hochzuverlässiges LPDDR3 SDRAM mit erweiterten Temperaturbereichen erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Design-In-Unterstützung

Greifen Sie auf umfassende Datenblätter, Referenzdesigns und technische Dokumentationen zu, um Ihre Produktentwicklung zu beschleunigen. Unser Team stellt Ihnen vollständige Rückverfolgbarkeits- und Konformitätsdokumente (RoHS/REACH) für eine nahtlose Integration in Ihre Lieferkette bereit.

Herstellernummer: W63AH2NBVADE
Hersteller: Winbond Electronics
Verfügbarkeit: Auf Lager mit weltweiten Versandoptionen

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