W63AH2NBVADI TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W63AH2NBVADI TR - Hochleistungsfähiger LPDDR3 Mobile-DRAM-Speicher
Der Winbond W63AH2NBVADI TR ist ein Premium-1-Gbit-LPDDR3-SDRAM-Speicher, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Dieser hochzuverlässige Speicher-IC bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,066 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 5,5 ns und eignet sich daher ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Medizintechnik und Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,066 GHz bei einer Zugriffszeit von 5,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Speicherarchitektur: Die 32M x 32-Organisation ermöglicht effizientes Datenmanagement für komplexe Anwendungen.
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TC) gewährleistet zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen
- Geringer Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V) optimiert die Energieeffizienz.
- Industriestandard-Gehäuse: Oberflächenmontage 178-VFBGA (11x11,5) für einfache Integration
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser LPDDR3-Speicher-IC eignet sich perfekt für:
- Mobile Computergeräte und Smartphones
- Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
- Industrielle Steuerungs- und Automatisierungsgeräte
- Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 32 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 1,066 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 5,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 178-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 178-VFBGA (11x11,5) |
| RoHS |

W63AH2NBVADI TR.pdf