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W66AP6NBQAFJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66AP6NBQAFJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4 SDRAM-Speicher
Der Winbond W66AP6NBQAFJ TR ist ein hochzuverlässiger 1-Gbit-LPDDR4-SDRAM, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns und eignet sich daher ideal für anspruchsvolle Embedded-Systeme und mobile Computerplattformen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,6 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Speicherorganisation: Die 64M x 16-Konfiguration bietet flexible Integrationsmöglichkeiten
- Breiter Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig von -40 °C bis 105 °C für raue Umgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 200-TFBGA-Bauform (10 x 14,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
- Geringer Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V) optimiert die Energieeffizienz.
- RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Einsatz
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser LPDDR4 SDRAM wurde für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt, darunter:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Automotive Infotainment- und ADAS-Plattformen
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Medizinische Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Mobile Computing und eingebettete Geräte
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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