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W66AP6NBQAHJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66AP6NBQAHJ - Hochleistungsfähiger LPDDR4 Mobile-DRAM
Der W66AP6NBQAHJ von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 1-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicher, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Dieser fortschrittliche Speicherchip bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns. Damit eignet er sich ideal für Systeme in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation, die eine zuverlässige und schnelle Datenverarbeitung erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz für unternehmenskritische Anwendungen.
- LPDDR4-Technologie für Mobilgeräte: Energiesparendes Design, ideal für batteriebetriebene Geräte und mobile Plattformen
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) für zuverlässigen Betrieb in rauen Industrie- und Automobilumgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 200-TFBGA-Bauform (10 x 14,5 mm) optimiert die Platinenplatznutzung.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W66AP6NBQAHJ ist für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen konzipiert, darunter:
- Mobile Computerplattformen und Smartphones
- Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
- Industrielle Steuerungs- und Automatisierungsgeräte
- Eingebettete Systeme für Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Medizinprodukte, die zertifizierte Komponenten benötigen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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