W66AP6NBQAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66AP6NBQAHJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4-Mobilspeicher
Der W66AP6NBQAHJ TR von Winbond Electronics bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische mobile Anwendungen. Dieser 1-Gbit-LPDDR4-SDRAM verfügt über eine 64M x 16-Speicherorganisation mit einer extrem hohen Taktfrequenz von 2,133 GHz und ist damit ideal für Systeme in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation geeignet, die höchste Leistung erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Ultraschnelle Leistung: Eine Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC), ideal für raue Industrieumgebungen
- Geringer Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V), optimiert für mobile und batteriebetriebene Anwendungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-TFBGA (10x14,5) Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Platine.
- Industriestandard-Schnittstelle: Die LVSTL_11-Speicherschnittstelle gewährleistet umfassende Kompatibilität
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W66AP6NBQAHJ TR ist für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert, darunter:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Avioniksysteme
- Infotainmentsysteme und Fahrerassistenzsysteme im Automobilbereich
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Medizinische Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Hochzuverlässige eingebettete Systeme
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |
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