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W66AP6NBUAFJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66AP6NBUAFJ – Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR4-SDRAM
Der W66AP6NBUAFJ von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 1-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der speziell für unternehmenskritische Anwendungen mit hohen Anforderungen an Datengeschwindigkeit und Zuverlässigkeit entwickelt wurde. Dieser fortschrittliche Speicherchip bietet eine Taktfrequenz von 1,6 GHz und eine ultraschnelle Zugriffszeit von 3,6 ns. Damit eignet er sich ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie und Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,6 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Speicherarchitektur: 64M x 16 Organisation (1 Gbit Gesamtkapazität) für effizientes Datenmanagement
- Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC) für raue Umgebungen
- Geringer Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V) optimiert die Energieeffizienz.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W66AP6NBUAFJ ist für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert, darunter:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Infotainmentsysteme und Fahrerassistenzsysteme im Automobilbereich
- Industrielle Automatisierung und Steuerung
- Medizinische Diagnosegeräte
- Hochzuverlässige Telekommunikationsinfrastruktur
- Mobile Computing und eingebettete Systeme
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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