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Winbond Electronics

W66AQ6NBHAFJ

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Winbond W66AQ6NBHAFJ – Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X-SDRAM

Der Winbond W66AQ6NBHAFJ ist ein hochwertiger 1-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der speziell für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser flüchtige DRAM-Speicher bietet mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für anspruchsvolle mobile und eingebettete Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,6 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Für Mobilgeräte optimiert: Die LPDDR4X-Technologie bietet eine überlegene Energieeffizienz für batteriebetriebene Geräte.
  • Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC) für industrielle und automobile Anwendungen
  • Flexible Organisation: 64M x 16 Speicherarchitektur mit LVSTL_06-Schnittstelle
  • Kompaktes Gehäuse: Oberflächenmontierbares 100-VFBGA (10 x 7,5 mm) für platzsparende Designs
  • Unterstützung für zwei Spannungen: Versorgungsspannungen von 1,06 V ~ 1,17 V und 1,7 V ~ 1,95 V

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser hochzuverlässige LPDDR4X SDRAM wurde für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, darunter:

  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
  • Infotainmentsysteme und Fahrerassistenzsysteme im Automobilbereich
  • Industrielle Automatisierung und Steuerung
  • Medizinische Diagnosegeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Mobile Computergeräte

Qualität & Konformität

Der W66AQ6NBHAFJ erfüllt strenge Qualitätsstandards und ist RoHS-konform, wodurch Umweltverantwortung und die Einhaltung gesetzlicher Vorschriften für globale Märkte gewährleistet werden.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 16
Speicherschnittstelle LVSTL_06
Taktfrequenz 1,6 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 100-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 100-VFBGA (10x7,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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