W66AQ6NBHAGJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66AQ6NBHAGJ - Hochleistungsfähiger 1-Gbit-LPDDR4X-Mobil-DRAM
Der W66AQ6NBHAGJ von Winbond Electronics ist eine hochmoderne 1-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicherlösung, die für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser flüchtige DRAM-Chip bietet mit einer Taktfrequenz von 1,867 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für hochzuverlässige Systeme, die sowohl Geschwindigkeit als auch Stabilität erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,867 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Speicherorganisation: Die 64M x 16-Konfiguration bietet flexible Integrationsmöglichkeiten
- Breiter Betriebstemperaturbereich: Funktioniert zuverlässig von -40 °C bis 105 °C (TC) und ist somit ideal für raue Umgebungen geeignet.
- Kompaktes SMD-Design: Das 100-VFBGA-Gehäuse (10x7,5) spart wertvollen Platz auf der Platine.
- Industriestandard-Schnittstelle: Die LVSTL_06-Speicherschnittstelle gewährleistet umfassende Kompatibilität
- RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Einsatz
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser hochzuverlässige LPDDR4X-Speicher wurde speziell für anspruchsvolle Anwendungen wie eingebettete Systeme, industrielle Automatisierung, Automobilelektronik, medizinische Geräte und Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt, bei denen eine gleichbleibende Leistung und ein erweiterter Temperaturbetrieb unerlässlich sind.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 1,867 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 100-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 100-VFBGA (10x7,5) |
| RoHS |
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