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W66AQ6NBHAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66AQ6NBHAHJ TR – Leistungsstarker mobiler LPDDR4X-DRAM
Der Winbond W66AQ6NBHAHJ TR ist ein hochmoderner 1-Gbit-LPDDR4X-Mobil-DRAM, der für hochzuverlässige Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser fortschrittliche Speicher-IC bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns und eignet sich daher ideal für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen, die sowohl Geschwindigkeit als auch Zuverlässigkeit erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Speicherorganisation: Die 64M x 16-Konfiguration bietet flexible Integrationsmöglichkeiten
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) für industrielle und automobile Anwendungen
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 100-VFBGA (10 x 7,5 mm) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser hochzuverlässige LPDDR4X-DRAM wurde für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, darunter:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Automobilelektronik und ADAS
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Medizinische Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Hochleistungsfähige eingebettete Computer
Warum HQICKEY wählen?
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 100-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 100-VFBGA (10x7,5) |
| RoHS |  |
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