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W66AQ6NBQAGJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66AQ6NBQAGJ - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X SDRAM-Speicher
Der Winbond W66AQ6NBQAGJ ist ein Premium-1-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicherchip, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die schnelle und energieeffiziente Speicherlösungen erfordern. Dieser von Winbond Electronics entwickelte, fortschrittliche Speicherchip bietet mit einer Taktfrequenz von 1,867 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme im Automobilbereich und IoT-Geräte.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,867 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
- Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 105 °C (TC) für zuverlässige Anwendungen in der Automobil- und Industriebranche
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W66AQ6NBQAGJ wurde für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt, darunter:
- Smartphones und Mobilgeräte
- Tablets und tragbare Computer
- Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
- Industrielles IoT und Edge Computing
- Tragbare Technologie
- Hochleistungsfähige eingebettete Systeme
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 1,867 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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