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W66BP2NQQAFJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BP2NQQAFJ - Hochleistungsfähiger LPDDR4 Mobile-DRAM
Der W66BP2NQQAFJ von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicherchip, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit Anforderungen an geringen Stromverbrauch und hohe Geschwindigkeit entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einer Zugriffszeit von 3,6 ns bietet dieser Speicherchip herausragende Leistung für anspruchsvolle Industrie-, Automobil- und Telekommunikationssysteme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- 2 Gbit Kapazität mit 64M x 32 Speicherorganisation für flexible Systemintegration
- Die Taktfrequenz von 1,6 GHz gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz für leistungskritische Anwendungen.
- Erweiterter Temperaturbereich (-40 °C bis 105 °C) für industrielle und automobile Umgebungen
- Energiesparender Betrieb mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V), optimiert für mobile Geräte
- 200-TFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) für platzsparende Leiterplattendesigns
- RoHS- und REACH-konform mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und langfristiger Unterstützung
Anwendungen
Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und eingebettete Computerplattformen, die einen zuverlässigen Hochgeschwindigkeitsspeicher mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum Sie sich für unseren Vertrieb entscheiden sollten
Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen Original-Winbond-Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit durch den Hersteller, Konformitätsdokumentation (RoHS/REACH-Zertifikate) und langfristigen Verfügbarkeitsgarantien. Alle Produkte werden in Originalverpackung und mit Herstellergarantie geliefert.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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