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W66BP2NQQAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BP2NQQAGJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4 Mobile DRAM
Der Winbond W66BP2NQQAGJ TR ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-LPDDR4-SDRAM, der für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 64M x 32 und einer Taktfrequenz von 1,867 GHz bietet dieser mobile DRAM herausragende Leistung für Smartphones, Tablets, Automobilsysteme und Industrieanlagen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,867 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
- Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC) für Automobil- und Industrieumgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.
- Zuverlässige Versorgung: Gurt- und Rollenverpackungen für automatisierte Montageprozesse
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für mobile Geräte, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, IoT-Geräte, industrielle Steuerungen und alle Anwendungen, die einen leistungsstarken, energiesparenden flüchtigen Speicher mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum Winbond-Speicher wählen?
Winbond Electronics ist ein weltweit führender und anerkannter Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen und bietet vollständige Rückverfolgbarkeit, lange Verfügbarkeit und umfassenden technischen Support für eine erfolgreiche Integration. Alle Produkte erfüllen strenge Qualitätsstandards und Umweltauflagen.
Verwandte Ressourcen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,867 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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