W66BP2NQQAHJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BP2NQQAHJ – Hochleistungsfähiger LPDDR4 Mobile DRAM für unternehmenskritische Anwendungen
Der W66BP2NQQAHJ von Winbond Electronics ist ein Premium-2-Gbit-LPDDR4-SDRAM, der speziell für mobile, automobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die höchste Leistung, extrem niedrigen Stromverbrauch und bewährte Zuverlässigkeit erfordern. Mit einer rasanten Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer branchenführenden Zugriffszeit von 3,6 ns bietet diese Speicherlösung die Geschwindigkeit und Effizienz, die von mobilen Plattformen der nächsten Generation, Infotainmentsystemen in der Automobilindustrie und industriellen IoT-Geräten benötigt werden.
Warum sollten Sie sich für den W66BP2NQQAHJ entscheiden?
- Außergewöhnliche Geschwindigkeit und Reaktionsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet die sofortige Datenverarbeitung für anspruchsvolle Echtzeitanwendungen.
- Extrem niedriger Stromverbrauch: Die optimierte Dual-Spannungsversorgung (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) maximiert die Akkulaufzeit in Mobilgeräten und reduziert die Wärmeentwicklung in eingebetteten Systemen.
- Industrielle Zuverlässigkeit: Der erweiterte Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C (TC) garantiert stabile Leistung in anspruchsvollen Umgebungen in der Automobilindustrie, der Industrie und im Außenbereich.
- Platzsparendes Design: Das kompakte 200-TFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) für die Oberflächenmontage optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte für dichte, multifunktionale Designs.
- Langfristiger Support: Unterstützt durch Winbonds Engagement für verlängerte Produktverfügbarkeit und Rückverfolgbarkeit für unternehmenskritische Anwendungen.
- Umweltkonform: RoHS-zertifiziert für weltweite regulatorische Konformität und nachhaltige Fertigung
Zielanwendungen und Anwendungsfälle
Der W66BP2NQQAHJ ist die ideale Speicherlösung für:
- Mobile Computing: Smartphones, Tablets, Wearables und Handheld-Geräte, die hochdichten, stromsparenden DRAM benötigen.
- Automobilsysteme: Infotainment, Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Instrumententafeln und Telematiksysteme, die einen breiten Temperaturbereich und langfristige Verfügbarkeit erfordern.
- Industrielles IoT: Edge-Computing, industrielle Steuerungen, HMI-Panels und eingebettete Bildverarbeitungssysteme
- Unterhaltungselektronik: Set-Top-Boxen, Smart-Home-Geräte, tragbare Mediaplayer und Spielekonsolen
- Medizinprodukte: Tragbare Diagnosegeräte, Patientenüberwachungssysteme und Bildgebungsgeräte
Technische Vorteile
Der W66BP2NQQAHJ basiert auf bewährter LPDDR4-Technologie und bietet eine 64M x 32-Speicherorganisation mit LVSTL_11-Schnittstelle. Dadurch erzielt er im Vergleich zu älteren LPDDR3- und DDR3L-Lösungen eine deutlich höhere Bandbreite und Effizienz. Die Schreibzykluszeit von 18 ns gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz für schreibintensive Anwendungen, während das Low-Voltage-Design den Stromverbrauch minimiert, ohne die Leistung zu beeinträchtigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Qualität und Rückverfolgbarkeit
Jede W66BP2NQQAHJ-Einheit wird nach höchsten Qualitätsstandards gefertigt und ist vollständig rückverfolgbar. Winbond Electronics bietet umfassenden technischen Support, Datenblätter und Anwendungshinweise für eine erfolgreiche Integration in Ihr Design. Dank langfristiger Produktverfügbarkeit ist dieses Produkt die ideale Wahl für Anwendungen, die eine lange Produktlebenszyklusunterstützung erfordern.
Alle Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die aktuellsten Informationen und Konstruktionsrichtlinien finden Sie im offiziellen Datenblatt des Herstellers.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |
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