W66BP6NBHAFJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BP6NBHAFJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4-Mobilspeicher
Der Winbond W66BP6NBHAFJ TR ist ein hochmoderner 2-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicher, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser hochzuverlässige mobile Speicher bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns und ist damit ideal für eingebettete Systeme geeignet, die höchste Geschwindigkeit und Effizienz erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,6 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Speicherorganisation: Die 128M x 16-Konfiguration bietet flexible Integrationsmöglichkeiten
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) für höchste Zuverlässigkeit unter extremen Umgebungsbedingungen
- Geringer Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) für energieeffizienten Betrieb
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 100-VFBGA (10x7,5) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Anwendungen
Dieser LPDDR4-Speicher wurde für anspruchsvolle Anwendungen in eingebetteten Systemen entwickelt, darunter Infotainmentsysteme für Automobile, industrielle Steuerungen, medizinische Diagnosegeräte, Telekommunikationsinfrastruktur und Avionik für die Luft- und Raumfahrt, wo Zuverlässigkeit und Leistung von größter Bedeutung sind.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 100-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 100-VFBGA (10x7,5) |
| RoHS |
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