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W66BP6NBHAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BP6NBHAHJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4 SDRAM-Speicher
Der Winbond W66BP6NBHAHJ TR ist ein Premium-2-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicher, der speziell für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser hochzuverlässige Speicherchip bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns und eignet sich daher ideal für anspruchsvolle Embedded-Systeme mit hohem Bedarf an robuster Datenverarbeitung.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz.
- Optimale Speicherkonfiguration: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation für effizientes Datenmanagement
- Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC), ideal für raue Industrieumgebungen
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4-Technologie mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) für energieeffizienten Betrieb
- Oberflächenmontage-Design: 100-VFBGA-Gehäuse (10x7,5 mm) ermöglicht kompakte Leiterplattenlayouts
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W66BP6NBHAHJ TR ist speziell für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen konzipiert, darunter:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Avioniksysteme
- Automotive Infotainment- und ADAS-Plattformen
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Medizinische Geräte und Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Eingebettete Computermodule
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 100-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 100-VFBGA (10x7,5) |
| RoHS |  |
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