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Winbond Electronics

W66BP6NBQAFJ TR

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Winbond W66BP6NBQAFJ TR – Hochleistungsfähige mobile LPDDR4-Speicherlösung

Der Winbond W66BP6NBQAFJ TR ist ein hochmoderner 2-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicherchip, der speziell für anspruchsvolle mobile, automobile und industrielle Anwendungen entwickelt wurde. Dieser hochzuverlässige Halbleiter bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns und eignet sich daher ideal für bandbreitenintensive Systeme, die eine schnelle Datenverarbeitung erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 1,6 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Optimierte Speicherarchitektur: Die 128M x 16-Organisation (2 Gbit Kapazität) ermöglicht eine flexible Speicherkonfiguration
  • Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) – Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Automobil- und Industrieumgebungen
  • Geringer Stromverbrauch: Die duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V) optimiert die Energieeffizienz mobiler Geräte.
  • Industriestandard-Schnittstelle: Die LVSTL_11-Schnittstelle gewährleistet umfassende Kompatibilität mit modernen Prozessoren und Controllern.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 200-TFBGA-Bauform (10 x 14,5 mm) ermöglicht platzsparende Leiterplattendesigns
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.

Anwendungen

Diese LPDDR4-Speicherlösung eignet sich perfekt für:

  • Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
  • Industrielle IoT- und Edge-Computing-Geräte
  • Mobile Telekommunikationsgeräte
  • Hochleistungsfähige eingebettete Systeme
  • Medizinische Diagnosegeräte
  • Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich

Technische Spezifikationen

Warum Winbond-Speicherlösungen wählen?

Winbond Electronics ist ein weltweit anerkannter Marktführer für Halbleiterspeicherlösungen und liefert hochzuverlässige Komponenten für unternehmenskritische Anwendungen. Der W66BP6NBQAFJ TR kombiniert bewährte LPDDR4-Technologie mit strengen Qualitätsstandards und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung über einen weiten Temperaturbereich und unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen.

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Entdecken Sie unser komplettes Angebot an Speicherlösungen für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie und Telekommunikation. Besuchen Sie unsere Homepage , um unser gesamtes Halbleiterportfolio kennenzulernen, oder lesen Sie unseren technischen Blog für aktuelle Brancheneinblicke und Anwendungsberichte.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle LVSTL_11
Taktfrequenz 1,6 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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