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Winbond Electronics

W66BP6NBQAHJ TR

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Winbond W66BP6NBQAHJ TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4 SDRAM-Speicher

Der Winbond W66BP6NBQAHJ TR ist eine hochmoderne 2-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicherlösung, die speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Dank fortschrittlicher LVSTL_11-Schnittstellentechnologie und herausragender Leistungseigenschaften gewährleistet diese Speicherkomponente einen zuverlässigen Betrieb in extremen Temperaturbereichen von -40 °C bis 105 °C.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Optimierte Speicherorganisation: Die 128M x 16-Konfiguration bietet flexible Integrationsmöglichkeiten
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) für industrielle und automobile Anwendungen
  • Geringer Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) optimiert die Energieeffizienz.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-TFBGA-Gehäuse (10x14,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser hochwertige LPDDR4-Speicher ist ideal für:

  • Mobilgeräte und Smartphones
  • Tablets und tragbare Computersysteme
  • Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
  • Industrielle eingebettete Anwendungen
  • IoT- und Edge-Computing-Geräte

Warum sollten Sie sich für HQICKEY bei Ihren Halbleiteranforderungen entscheiden?

Wir bei HQICKEY sind spezialisiert auf die Bereitstellung hochzuverlässiger Halbleiterkomponenten für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Medizintechnik und Telekommunikation. Unser umfangreiches Speichersortiment umfasst innovative Lösungen führender Hersteller wie Winbond Electronics.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle LVSTL_11
Taktfrequenz 2,133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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