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W66BP6NBUAFJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BP6NBUAFJ – Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR4-SDRAM
Der W66BP6NBUAFJ von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-LPDDR4-SDRAM, der für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 16 und einer Taktfrequenz von 1,6 GHz bietet dieser flüchtige DRAM außergewöhnliche Leistung mit ultraschnellen Zugriffszeiten von 3,5 ns.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Für Mobilgeräte optimiert: LPDDR4-Technologie, speziell entwickelt für energieeffiziente mobile Anwendungen.
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) für industrietaugliche Zuverlässigkeit
- Kompakte Oberflächenmontage: Das 200-WFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Konformitätsstandards.
- Duale Spannungsversorgung: 1,06 V ~ 1,17 V und 1,7 V ~ 1,95 V für flexible Systemintegration
Anwendungen
Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, IoT-Geräte und andere mobile Computerplattformen, die schnelle und energiesparende Speicherlösungen benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Dokumentation & Support
Vollständiges Datenblatt und technische Dokumentation verfügbar. Unser Entwicklungsteam bietet Unterstützung bei der Entwicklung, um eine nahtlose Integration in Ihre Anwendung zu gewährleisten.
Teilenummer: W66BP6NBUAFJ
Hersteller: Winbond Electronics
Verpackung: Schalenverpackung für Produktionsmengen erhältlich
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
W66BP6NBUAFJ.pdf