W66BP6NBUAFJ TR

Winbond W66BP6NBUAFJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4 SDRAM-Speicher

Der Winbond W66BP6NBUAFJ TR ist ein Premium-2-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicherchip, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit hohen Ansprüchen an Leistung und Energieeffizienz entwickelt wurde. Dieser fortschrittliche Speicherchip bietet zuverlässigen Betrieb über einen weiten Temperaturbereich und eignet sich daher ideal für die Automobilindustrie, industrielle Anwendungen und unternehmenskritische Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Leistungsfähigkeit: 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
• Optimierte Speicherarchitektur: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation für effizientes Datenmanagement
• Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC) für raue Umgebungen
• Geringer Stromverbrauch: LPDDR4-Technologie mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
• Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
• RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser LPDDR4 SDRAM eignet sich perfekt für:

• Mobilgeräte und Smartphones
• Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
• Industrielle Steuerung und Automatisierung
• IoT- und Edge-Computing-Geräte
• Medizinische Geräte und Instrumente
• Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich

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