W66BP6NBUAHJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BP6NBUAHJ - 2-Gbit-Mobil-LPDDR4-SDRAM-Speicher-IC
Der W66BP6NBUAHJ von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 2-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der speziell für anspruchsvolle Bereiche wie Automobil, Industrie, Medizin und Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 16 und einer Taktfrequenz von 2,133 GHz bietet dieser Speicherchip außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 105 °C.
Hauptmerkmale:
- 2-Gbit-LPDDR4-SDRAM mit 128M x 16-Organisation
- Hochgeschwindigkeitsbetrieb bei einer Taktfrequenz von 2,133 GHz
- Ultraschnelle Zugriffszeit von 3,5 ns und Schreibzykluszeit von 18 ns
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC)
- Duale Spannungsversorgung: 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
- Kompaktes 200-WFBGA (10x14,5mm) SMD-Gehäuse
- RoHS-konform für Umweltschutz
- LVSTL_11-Speicherschnittstelle
Anwendungsbereiche: Mobile Geräte, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Computerplattformen, die hochdichten, schnellen flüchtigen Speicher mit erweiterter Temperaturtoleranz erfordern.
Gestützt auf Winbonds Ruf für Qualität und Zuverlässigkeit bietet der W66BP6NBUAHJ vollständige Rückverfolgbarkeit und Konformitätsdokumentation (RoHS/REACH), um Ihre Design-In-Anforderungen und Ihren Bedarf an Beschaffung im Produktionsmaßstab zu unterstützen.
Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |

W66BP6NBUAHJ.pdf