W66BP6NBUAHJ TR

Winbond W66BP6NBUAHJ TR - Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR4 SDRAM

Der Winbond W66BP6NBUAHJ TR ist ein Premium-2-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicherchip, der für leistungsstarke mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die außergewöhnliche Geschwindigkeit, geringen Stromverbrauch und zuverlässigen Betrieb über einen erweiterten Temperaturbereich erfordern. Dank fortschrittlicher SDRAM-Technologie bietet dieser Speicherchip eine Taktfrequenz von 2,133 GHz mit LVSTL_11-Schnittstelle und eignet sich daher ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme und Telekommunikationsinfrastruktur.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für unternehmenskritische Anwendungen.
• Optimierte Speicherarchitektur: Die 128M x 16-Organisation (2 Gbit Kapazität) ermöglicht eine flexible Integration für komplexe Systemdesigns.
• Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC), ideal für raue Industrie- und Automobilumgebungen
• Energiesparendes Design: Duale Spannungsversorgung (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) optimiert die Energieeffizienz für mobile und batteriebetriebene Geräte.
• Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 200-WFBGA-Bauform (10 x 14,5 mm) ermöglicht platzsparende Leiterplattenlayouts.
• RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der W66BP6NBUAHJ TR ist für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert, darunter:

• Avionik und Flugsteuerungssysteme für die Luft- und Raumfahrt
• Fahrzeug-ADAS, Infotainment- und Antriebsstrang-Steuergeräte
• Industrielle Automatisierung und Robotik
• Medizinische Diagnosegeräte und Bildgebungssysteme
• Telekommunikations-Basisstationen und Netzwerkinfrastruktur
• Hochzuverlässige eingebettete Computerplattformen

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