W66BQ2NQQAFJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BQ2NQQAFJ - 2-Gbit-LPDDR4X-Mobil-SDRAM-Speicher-IC
Der Winbond W66BQ2NQQAFJ ist ein leistungsstarker 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der für anspruchsvolle Einsatzbereiche mit Bedarf an zuverlässigen und schnellen Speicherlösungen entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einer Zugriffszeit von 3,6 ns bietet dieser Speicherchip herausragende Leistung für mobile, automobile, industrielle und eingebettete Systeme.
Hauptmerkmale:
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit
- Große Kapazität: 2 Gbit (64M x 32 Organisation)
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie optimiert für mobile Anwendungen
- Breiter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 105 °C für industrielle Anwendungen
- Kompaktes Gehäuse: 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) SMD
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Konformitätsstandards.
Anwendungsbereiche:
Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungstechnik, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur und hochzuverlässige Embedded-Computing-Plattformen, die eine lange Lebensdauerunterstützung erfordern.
Warum Sie diese Komponente wählen sollten:
Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen ausschließlich 100 % authentische Winbond-Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, Herstellerdokumentation und langfristigen Verfügbarkeitsgarantien. Jedes Gerät stammt direkt von Winbond Electronics und ist vollständig RoHS/REACH-konform zertifiziert.
Vollständige technische Spezifikationen:
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |
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