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W66BQ2NQQAFJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BQ2NQQAFJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4X Mobile-DRAM
Der Winbond W66BQ2NQQAFJ TR ist ein 2-Gbit-DDR4X-Speicherchip (LPDDR4X) mit geringem Stromverbrauch für mobile Anwendungen und Embedded-Systeme. Mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einer Speicherstruktur von 64M x 32 bietet diese Komponente außergewöhnliche Geschwindigkeit und Effizienz für anspruchsvolle Workloads.
Hauptmerkmale
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie optimiert für mobile und akkubetriebene Geräte
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC)
- Kompaktes Gehäuse: 200-TFBGA (10x14,5mm) SMD-Gehäuse
- RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Vertrieb
- Produktionsfertig: Gurt- und Rollenverpackung für die automatisierte Montage
Anwendungen
Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle IoT-Geräte, mobile Computerplattformen, eingebettete Bildverarbeitungssysteme und Telekommunikationsgeräte, die Speicherlösungen mit hoher Bandbreite und niedrigem Stromverbrauch erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Qualität & Konformität
Dieses Bauteil profitiert von Winbond Electronics' Ruf für Zuverlässigkeit und Qualität. Um eine reibungslose Integration in Design und Produktion zu gewährleisten, stehen vollständige Dokumentationen zur Rückverfolgbarkeit, Datenblätter und technischer Support zur Verfügung.
Verwandte Ressourcen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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