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W66BQ2NQQAGJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BQ2NQQAGJ – Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X-Speicher
Der Winbond W66BQ2NQQAGJ ist ein Premium-2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die schnelle und energieeffiziente Speicherlösungen erfordern. Mit einer Taktfrequenz von 1,867 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns bietet dieser Speicher herausragende Leistung für Smartphones, Tablets, Fahrzeugsysteme und IoT-Geräte.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,867 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Kapazität: 2 Gbit (64M x 32 Organisation) bieten ausreichend Speicher für komplexe Anwendungen.
- Geringer Stromverbrauch: Die LPDDR4X-Technologie reduziert den Strombedarf und verlängert so die Akkulaufzeit mobiler Geräte.
- Breiter Betriebstemperaturbereich: Funktioniert zuverlässig von -40 °C bis 105 °C, ideal für Automobil- und Industrieanwendungen
- Kompakte Bauform: Das oberflächenmontierbare 200-TFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
- Branchenkonformität: RoHS-konform für Umweltverantwortung
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Netzwerkgeräte und leistungsstarke eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen, schnellen mobilen Speicher benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Alle Spezifikationen können Herstelleraktualisierungen unterliegen. Bitte überprüfen Sie die kritischen Parameter anhand des aktuellsten Datenblatts.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 1,867 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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