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Winbond Electronics

W66BQ2NQQAGJ TR

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Winbond W66BQ2NQQAGJ TR - Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR4X SDRAM

Der Winbond W66BQ2NQQAGJ TR ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicherchip, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Dieser Speicherchip bietet überragende Leistung und Energieeffizienz und zeichnet sich durch außergewöhnliche Geschwindigkeit mit einer Taktfrequenz von 1,867 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns aus.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 1,867 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit für reaktionsschnellen Systembetrieb
  • Optimierte Speicherarchitektur: 2 Gbit Kapazität mit 64M x 32 Organisation für effiziente Datenverarbeitung
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) gewährleistet zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen
  • Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V) für verlängerte Akkulaufzeit
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für mobile Geräte, Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, IoT-Geräte und eingebettete Computerplattformen, die schnelle, energiesparende Speicherlösungen mit erweiterter Temperaturtoleranz erfordern.

Technische Spezifikationen

Qualität & Konformität

Hergestellt von Winbond Electronics, einem führenden Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen. Diese Komponente ist RoHS-konform und wird durch umfassende technische Dokumentation und Designunterstützung ergänzt.

Verpackung: Erhältlich in Gurtverpackung (TR) für automatisierte Montageprozesse, was eine effiziente Produktionsintegration und den Schutz der Komponenten gewährleistet.


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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL_06
Taktfrequenz 1,867 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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