W66BQ2NQQAHJ TR

Der Winbond W66BQ2NQQAHJ TR ist ein leistungsstarker 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Mobilspeicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Automobil-, Industrie-, Medizin- und Telekommunikationsbranche entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherkomponente bietet außergewöhnliche Geschwindigkeit mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns und ist damit ideal für mobile und eingebettete Systeme der nächsten Generation geeignet.

Mit einer Speicherorganisation von 64M x 32 in einem kompakten 200-TFBGA-SMD-Gehäuse bietet dieser LPDDR4X-SDRAM zuverlässigen flüchtigen Speicher mit LVSTL_06-Schnittstellentechnologie. Das Bauteil arbeitet in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 105 °C (TC) und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.

Hauptmerkmale und Spezifikationen:

• 2 Gbit Speicherkapazität mit 64M x 32 Organisation
• Hohe Taktfrequenz von 2,133 GHz für überragende Leistung
• Ultraschnelle Zugriffszeit von 3,6 ns und Schreibzykluszeit von 18 ns
• Betrieb mit zwei Spannungen: 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
• Erweiterter Betriebstemperaturbereich: -40 °C ~ 105 °C (TC)
• Kompaktes 200-TFBGA (10x14,5) SMD-Gehäuse
• RoHS-konform für Umweltschutz
• Gurt- und Rollenverpackung für die automatisierte Montage

Diese Winbond LPDDR4X-Speicherkomponente ist auf lange Verfügbarkeit und vollständige Rückverfolgbarkeit ausgelegt und erfüllt die strengen Anforderungen von Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Medizintechnik. Dank ihres geringen Stromverbrauchs und ihrer hohen Geschwindigkeit eignet sie sich hervorragend für mobile Computer, IoT-Geräte und eingebettete Systeme, die zuverlässige Speicherlösungen mit hoher Bandbreite benötigen.

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