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Winbond Electronics

Winbond W66BQ2NQUAFJ 2-Gbit-LPDDR4X-Mobil-DRAM-Speicher – 1,6 GHz 200-WFBGA

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Winbond W66BQ2NQUAFJ - Hochleistungsfähiger LPDDR4X Mobile-DRAM

Der Winbond W66BQ2NQUAFJ ist ein 2-Gigabit-Low-Power-DDR4X-SDRAM (LPDDR4X), der für mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Bandbreite, einen geringen Stromverbrauch und eine zuverlässige Leistung über einen erweiterten Temperaturbereich erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 1,6 GHz mit ultraschneller Zugriffszeit von 3,6 ns liefert einen außergewöhnlichen Datendurchsatz für anspruchsvolle mobile Anwendungen.
  • Optimierte Speicherarchitektur: Die 64M x 32-Organisation (2 Gbit Kapazität) ermöglicht eine flexible Integration für Smartphones, Tablets, Automobilsysteme und IoT-Geräte.
  • Geringer Stromverbrauch: Die LPDDR4X-Technologie mit zwei Spannungsschienen (1,06 V–1,17 V Kernspannung, 1,7 V–1,95 V VI/O) minimiert den Energieverbrauch und verlängert die Akkulaufzeit.
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) – Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit in Anwendungen der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik und in rauen Umgebungen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 200-WFBGA-Bauform (10 mm x 14,5 mm) ermöglicht platzsparende Leiterplattenlayouts für mobile Geräte.
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Markteinsatz

Zielanwendungen

Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle IoT-Geräte, KI-Edge-Computing-Module, Wearables und alle mobilen Plattformen, die einen leistungsstarken, energiesparenden Speicher mit verlängerter Lebensdauer benötigen.

Vollständige technische Spezifikationen

Alle Spezifikationen können Herstelleraktualisierungen unterliegen. Die vollständigen elektrischen Eigenschaften, Zeitdiagramme und Anwendungshinweise finden Sie im offiziellen Winbond-Datenblatt.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL_06
Taktfrequenz 1,6 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-WFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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