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Winbond Electronics

W66BQ2NQUAFJ TR

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Winbond W66BQ2NQUAFJ TR - Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR4X SDRAM

Der Winbond W66BQ2NQUAFJ TR ist ein leistungsstarker 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der speziell für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Geschwindigkeit mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns und eignet sich daher ideal für bandbreitenintensive mobile und eingebettete Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,6 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Optimierte Speicherarchitektur: 2 Gbit Kapazität, organisiert als 64M x 32 für effiziente Datenverarbeitung
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Erweiterter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 105 °C) für raue Umgebungen
  • Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V) für Energieeffizienz
  • Platzsparendes Design: Kompaktes 200-WFBGA (10x14,5 mm) SMD- Gehäuse
  • Konformität & Qualität: RoHS-konform, gewährleistet Umweltstandards und lange Verfügbarkeit über den gesamten Lebenszyklus

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für mobile Geräte, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur und alle Anwendungen, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher mit erweiterter Temperaturtoleranz erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen vollständige Rückverfolgbarkeit, Dokumentation zur RoHS/REACH-Konformität und langfristige Verfügbarkeitsunterstützung für Ihre kritischen Designs.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL_06
Taktfrequenz 1,6 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-WFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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