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Winbond Electronics

W66BQ2NQUAHJ

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Winbond W66BQ2NQUAHJ - Hochleistungsfähiger LPDDR4X Mobile-DRAM

Der W66BQ2NQUAHJ von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit hohem Stromverbrauch und schnellen Datenübertragungsraten entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns bietet diese Speicherlösung herausragende Leistung für anspruchsvolle mobile Computerumgebungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Energiesparendes Design: LPDDR4X-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit Dual-Voltage-Betrieb (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
  • Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC), geeignet für industrielle und automobile Anwendungen
  • Kompakte Bauform: Das oberflächenmontierbare 200-WFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
  • Flexible Organisation: 64M x 32 Speicherarchitektur mit 2 Gbit Gesamtkapazität
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich, entspricht internationalen Standards

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für Smartphones, Tablets, IoT-Geräte, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle Steuerungen und andere mobile Computerplattformen, die leistungsstarke, energiesparende Speicherlösungen mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Qualität & Konformität

Dieses Produkt ist RoHS-konform und wird von Winbond Electronics hergestellt, einem führenden und vertrauenswürdigen Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen mit jahrzehntelanger Erfahrung in der Entwicklung hochzuverlässiger Komponenten für unternehmenskritische Anwendungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL_06
Taktfrequenz 2,133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-WFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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