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Winbond W66BQ2NQUAHJ TR - 2-Gbit-LPDDR4X-Mobil-DRAM-Speicher-IC
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BQ2NQUAHJ TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X-DRAM
Der Winbond W66BQ2NQUAHJ TR ist ein hochwertiger 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicherchip, der speziell für geschäftskritische mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Mit seiner fortschrittlichen 64M x 32-Struktur und der ultraschnellen Taktfrequenz von 2,133 GHz bietet diese SMD-Speicherlösung herausragende Leistung für Systeme in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 2,133 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V / 1,7 V–1,95 V)
- Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC) für raue Industrieumgebungen
- Kompaktes Gehäuse: 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) SMD-Design für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.
- Zuverlässige Versorgung: Gurtverpackung für automatisierte Montage und lange Lebensdauer
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser LPDDR4X-DRAM eignet sich perfekt für anspruchsvolle Anwendungen wie mobile Computergeräte, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Bildgebungsgeräte und Telekommunikationsinfrastrukturen, bei denen Zuverlässigkeit, Leistung und langfristige Verfügbarkeit von entscheidender Bedeutung sind.
Vollständige technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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