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W66BQ6NBHAFJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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W66BQ6NBHAFJ - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X SDRAM-Speicher
Der W66BQ6NBHAFJ von Winbond Electronics ist ein hochmoderner 2-Gbit-Mobil-LPDDR4X-SDRAM-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser hochzuverlässige Halbleiter bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns und eignet sich daher ideal für bandbreitenintensive mobile und eingebettete Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,6 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Geringer Stromverbrauch: Die LPDDR4X-Technologie optimiert die Energieeffizienz für mobile Anwendungen.
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) für zuverlässigen Betrieb in rauen Umgebungen
- Kompaktes SMD-Design: Das 100-VFBGA-Gehäuse (10x7,5) spart wertvollen Platz auf der Platine.
- Industriestandard-Schnittstelle: Die LVSTL_06-Speicherschnittstelle gewährleistet umfassende Kompatibilität
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W66BQ6NBHAFJ wurde für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, die hohe Zuverlässigkeit und Leistung erfordern:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Infotainmentsysteme und Fahrerassistenzsysteme im Automobilbereich
- Industrielle Automatisierung und Steuerung
- Medizinische Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Hochleistungsfähige Mobilgeräte
- Eingebettete Computersysteme
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 100-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 100-VFBGA (10x7,5) |
| RoHS |  |
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