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W66BQ6NBHAGJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Der Winbond W66BQ6NBHAGJ ist ein leistungsstarker 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der speziell für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 16 und einer extrem hohen Taktfrequenz von 1,867 GHz bietet dieser industrietaugliche Speicher-IC außergewöhnliche Zuverlässigkeit in extremen Temperaturbereichen von -40 °C bis 105 °C. Dank seiner extrem kurzen Zugriffszeit von 3,6 ns und der LVSTL_06-Schnittstelle gewährleistet der W66BQ6NBHAGJ einen optimalen Datendurchsatz für anspruchsvolle Embedded-Systeme. Das kompakte 100-VFBGA-SMD-Gehäuse (10 x 7,5 mm) ermöglicht eine platzsparende Integration und erfüllt gleichzeitig die RoHS-Richtlinien für umweltbewusste Designs.
Anwendungen und Anwendungsfälle
Dieser LPDDR4X SDRAM wurde für Anwendungen entwickelt, die eine schnelle Datenverarbeitung, einen geringen Stromverbrauch und einen erweiterten Temperaturbetrieb erfordern, darunter mobile Computerplattformen, Infotainmentsysteme für Automobile, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Bildgebungsgeräte und Telekommunikationsinfrastruktur.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,867 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C
- Kompakte Bauform: 100-VFBGA-Gehäuse (10 x 7,5 mm) für platzsparende Designs
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V), optimiert für mobile Anwendungen
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 1,867 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 100-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 100-VFBGA (10x7,5) |
| RoHS |  |
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