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Winbond Electronics

W66BQ6NBHAHJ

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Der W66BQ6NBHAHJ ist eine leistungsstarke 2-Gbit-LPDDR4X-Mobil-DRAM-Speicherlösung von Winbond Electronics, die für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die eine zuverlässige Speicherleistung mit geringem Stromverbrauch erfordern.

Dieser fortschrittliche SDRAM-Chip verfügt über eine 128M x 16 Speicherorganisation mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und bietet so einen außergewöhnlichen Datendurchsatz bei gleichzeitig hoher Energieeffizienz. Die LVSTL_06-Speicherschnittstelle gewährleistet eine robuste Signalintegrität, während die duale Spannungsversorgung (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) den Stromverbrauch für batteriebetriebene Geräte optimiert.

Hauptmerkmale und Vorteile:

  • 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation für flexible Speicherarchitektur
  • Die LPDDR4X-Technologie bietet eine überlegene Energieeffizienz für mobile Plattformen.
  • Die Taktfrequenz von 2,133 GHz ermöglicht eine Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitung.
  • Erweiterter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 105 °C) für Zuverlässigkeit in Industriequalität
  • Schnelle Zugriffszeit von 3,6 ns und Schreibzykluszeit von 18 ns für reaktionsschnelle Leistung
  • Kompaktes 100-VFBGA-Gehäuse (10 x 7,5 mm) für Oberflächenmontage spart Platz auf der Platine
  • RoHS-konform für mehr Umweltverantwortung

Technische Spezifikationen:

Anwendungsbereiche:

Der W66BQ6NBHAHJ eignet sich ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, IoT-Geräte, industrielle Steuerungen und andere mobile Computerplattformen, bei denen geringer Stromverbrauch, hohe Leistung und Temperaturbeständigkeit entscheidende Anforderungen sind.

Qualität & Zuverlässigkeit:

Dieser von Winbond Electronics unter strengen Qualitätskontrollverfahren hergestellte Speicherchip erfüllt die RoHS-Umweltstandards und ist für langfristige Zuverlässigkeit in missionskritischen Anwendungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Medizin und Telekommunikation ausgelegt.

Verwandte Produkte und Ressourcen:

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle LVSTL_06
Taktfrequenz 2,133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 100-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 100-VFBGA (10x7,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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