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Winbond Electronics

W66BQ6NBHAHJ TR

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Winbond W66BQ6NBHAHJ TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X-DRAM-Speicher

Der W66BQ6NBHAHJ TR von Winbond Electronics bietet herausragende Leistung für mobile und eingebettete Anwendungen, die schnelle und energieeffiziente Speicherlösungen erfordern. Dieser 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM verfügt über eine 128M x 16-Struktur und arbeitet mit einer beeindruckenden Taktfrequenz von 2,133 GHz. Damit eignet er sich ideal für Smartphones, Tablets, Fahrzeugsysteme und industrielle IoT-Geräte.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
  • Breiter Temperaturbereich: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C für anspruchsvolle Industrie- und Automobilumgebungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 100-VFBGA (10 x 7,5 mm) für platzsparende Designs
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser hochzuverlässige LPDDR4X-Speicher wurde für unternehmenskritische Anwendungen in verschiedenen Branchen entwickelt:

  • Mobile Geräte (Smartphones, Tablets, Wearables)
  • Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Medizinische Geräte und Diagnosegeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • IoT- und Edge-Computing-Geräte

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Wir bei HQICKEY sind spezialisiert auf die Bereitstellung hochwertiger Halbleiterkomponenten für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation. Unser umfangreiches Speichersortiment umfasst eine breite Palette an DRAM-, Flash-, EEPROM- und anderen Speicherlösungen führender Hersteller weltweit.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle LVSTL_06
Taktfrequenz 2,133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 100-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 100-VFBGA (10x7,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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