W66BQ6NBQAHJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BQ6NBQAHJ - Hochleistungsfähiger LPDDR4X Mobile DRAM-Speicher-IC
Der W66BQ6NBQAHJ von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicherchip, der für leistungsstarke mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung bietet außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Systeme in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Speicherarchitektur: Die 128M x 16-Organisation ermöglicht ein effizientes Datenmanagement.
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V) für energieeffizienten Betrieb
- Erweiterter Temperaturbereich: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C (TC) für raue Umgebungen
- Kompaktes SMD-Design: 200-TFBGA-Gehäuse (10x14,5) optimiert den Platz auf der Leiterplatte
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W66BQ6NBQAHJ eignet sich ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie:
- Mobile Computergeräte und Smartphones
- Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
- Industrielle Steuerungssysteme und IoT-Geräte
- Medizinische Geräte und Diagnosesysteme
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_06 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |
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