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Winbond Electronics

W66BQ6NBUAFJ

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Winbond W66BQ6NBUAFJ - 2-Gbit-LPDDR4X-Mobil-SDRAM

Der Winbond W66BQ6NBUAFJ ist ein leistungsstarker 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz und einem erweiterten Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C bietet diese Komponente zuverlässige Leistung in unternehmenskritischen Umgebungen.

Hauptmerkmale

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit
  • Optimierte Speicherorganisation: 128M x 16-Konfiguration für effiziente Datenverarbeitung
  • Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) für Anwendungen in rauen Umgebungen
  • Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V) für Energieeffizienz
  • Branchenkonformität: RoHS-konform hinsichtlich Umweltstandards
  • Kompaktes Gehäuse: 200-WFBGA (10x14,5mm) SMD-Gehäuse

Anwendungen

Dieser LPDDR4X SDRAM ist ideal für:

  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
  • Infotainmentsysteme und Fahrerassistenzsysteme im Automobilbereich
  • Industrielle Automatisierung und Steuerung
  • Medizinische Bildgebungsgeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Hochzuverlässige eingebettete Systeme

Vollständige technische Spezifikationen

Qualität und Rückverfolgbarkeit

Als autorisierter Distributor bieten wir vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation, Konformitätszertifikate (RoHS/REACH) und Design-Unterstützung inklusive Datenblättern und Referenzdesigns. Alle Komponenten stammen direkt von Winbond Electronics und garantieren deren Echtheit und lange Verfügbarkeit.

Benötigen Sie technische Unterstützung oder Mengenrabatte? Kontaktieren Sie unser Ingenieurteam für Unterstützung bei der Planung und für Mengenangebote.


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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle LVSTL_11
Taktfrequenz 1,6 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,5 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-WFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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