W66BQ6NBUAGJ

€3,95

Sale Ausverkauft

Quantity	Unit Price	Total Price
1	€3,95 EUR	€3,95 EUR
15+	€3,63 EUR	€54,45 EUR
25+	€3,56 EUR	€89,00 EUR
50+	€3,36 EUR	€168,00 EUR
100+	€2,96 EUR	€296,00 EUR
N+	€0,59 EUR	Price Inquiry

Versand wird beim Checkout berechnet

Winbond W66BQ6NBUAGJ - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X-DRAM

Der W66BQ6NBUAGJ von Winbond Electronics ist ein 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen mit hohen Leistungsanforderungen, sowohl für mobile als auch für eingebettete Systeme. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 16 und einer Taktfrequenz von 1,866 GHz bietet diese Komponente außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation.

Hauptmerkmale und Vorteile

Hohe Leistungsfähigkeit: 1,866 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
Für Mobilgeräte optimiert: Die LPDDR4X-Technologie gewährleistet einen geringen Stromverbrauch für batteriebetriebene Geräte.
Breiter Temperaturbereich: Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC) für raue Industrieumgebungen
Kompakte Bauform: Das oberflächenmontierbare 200-WFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) spart Platz auf der Platine.
RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.
Vollständige Rückverfolgbarkeit: Autorisierter Vertrieb mit vollständiger Dokumentation und Datenblattunterstützung

Technische Spezifikationen

Verwandte Produkte und Ressourcen

Entdecken Sie unsere umfassende Auswahl an Speicherhalbleitern für Ihre Designanforderungen. Besuchen Sie unsere Homepage , um unseren vollständigen Katalog hochzuverlässiger Komponenten zu durchstöbern, oder informieren Sie sich in unserem technischen Blog über aktuelle Brancheneinblicke, Anwendungsberichte und Produktneuheiten.

Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung	Tablett \|
Speichertyp	Flüchtig
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße	2 Gbit/s
Speicherorganisation	128 m x 16
Speicherschnittstelle	LVSTL_11
Taktfrequenz	1,866 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	18ns
Zugriffszeit	3,5 ns
Spannungsversorgung	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	200-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten	200-WFBGA (10x14,5)
RoHS