W66BQ6NBUAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BQ6NBUAGJ TR - Hochleistungsfähiger 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM
Der W66BQ6NBUAGJ TR von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 2-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der speziell für leistungsstarke Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und höchster Zuverlässigkeit entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung bietet eine Taktfrequenz von 1,866 GHz und eine 128M x 16-Speicherstruktur und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation.
Als autorisierter Distributor garantiert HQICKEY 100 % authentische Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Herstellergarantie. Unser umfangreiches Sortiment an Speicher-ICs umfasst modernste, hochzuverlässige Halbleiter für unternehmenskritische Anwendungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,866 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für anspruchsvolle Anwendungen
- Energiesparendes Design: Die optimierte LPDDR4X-Technologie reduziert den Stromverbrauch mobiler und batteriebetriebener Geräte.
- Breiter Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Kompaktes Gehäuse: Das oberflächenmontierbare 200-WFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
- Branchenkonformität: RoHS-konform hinsichtlich Umwelt- und Sicherheitsanforderungen sowie regulatorischer Vorgaben
Technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,866 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |

W66BQ6NBUAGJ TR.pdf