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Winbond Electronics

W66CP2NQQAFJ TR

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Winbond W66CP2NQQAFJ TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4 SDRAM-Speicher-IC

Der W66CP2NQQAFJ TR von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicherchip für mobile Anwendungen, der speziell für anspruchsvolle Bereiche wie Automobil, Industrie, Medizin und Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 32 und einer Taktfrequenz von 1,6 GHz bietet dieser SMD-Speicherchip herausragende Leistung bei geringem Stromverbrauch.

Hauptmerkmale:

  • 4-Gbit-Kapazität mit 128M x 32-Organisation
  • Mobile LPDDR4 SDRAM-Technologie für Energieeffizienz
  • 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C
  • 200-TFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) für kompakte Designs
  • RoHS- und REACH-konform mit vollständiger Rückverfolgbarkeit
  • Duale Spannungsversorgung: 1,06 V–1,17 V und 1,7 V–1,95 V

Ideal für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen, die eine lange Lebensdauer und gleichbleibende Leistung über extreme Temperaturbereiche hinweg erfordern. Erhältlich in Gurtverpackung für automatisierte Montageprozesse.


Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 4 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL_11
Taktfrequenz 1,6 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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